存储之未来：如何不落后于人

存储此次代理商联盟启动会是一方树品牌发展历程中的一个重要里程碑。

其在基态下，落后上下两层Cr原子层具有不同的自旋方向，中间的C原子层类似于绝缘层，整体结构与Fe/MgO/Fe的三明治结构非常相似，见图1。其次，于人在制备磁阻器件的同时保持稳定的金属氧化物界面也是另一个重要挑战。

然而，存储这对相应的实验制备技术要求非常高。其被广泛应用于磁传感、落后磁存储(磁卡、硬盘)等领域。【成果简介】近日，于人衢州学院杨建辉博士与中科院宁波材料所陈亮课题组、山东师范大学王传奎课题组、以及河北大学王瑞宁课题组合作。

因此，存储在降低材料厚度的同时仍保持较高的磁阻效应成为该领域的一个重要挑战。落后艾尔伯·费尔和皮特·克鲁伯格也因为他们在巨磁电阻效应中的巨大贡献而获得了2007年诺贝尔物理学奖。

因此，于人该方向仍然需要广大科技工作者不停的努力。

对传统磁阻材料Fe/MgO/Fe的研究表明，存储磁阻效应随着其厚度的减小而减小。落后2015年获中国科学院杰出成就奖。

2008年被聘为美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)助理教授，于人2012年和2013年分别晋升为终身副教授和教授，2013年被聘为湖南大学特聘教授。在过去五年中，存储段镶锋湖南大学团队在Nature和Science上发表了3篇文章。

2017年获德国化学工程和生物技术协会（DECHMA）和德国催化协会催化成就奖（Alwin Mittasch Prize 2017），落后所带领的纳米和界面催化团队获首届全国创新争先奖牌。于人2005年从美国加州大学河滨分校化学专业获得博士学位。